张秀淼
Zhang Xiumiao
1938年4月出生，浙江宁波人。1961年毕业于杭州大学物理系。毕业后留系任教，其中1978年10月到1981年12月在复旦大学物理系进修并获硕士学位。1987年12月到1988年12月在德国鲁尔大学微电子中心作访问研究。1989年后在电子工程系任教。1992年6月起任杭州大学科研处长，同年晋升为教授。1993年5月起兼任中共杭州大学科研系统总支书记。他还担任浙江省物理学会副理事长，浙江省电子学会半导体与集成技术专业委员会委员，《科技通报》编委。
在教学工作方面，张秀淼为本科生和研究生先后开设过固体物理、晶体管原理、近代物理、固体光学性质、表面分析、界面物理、半导体理论等多门课程，教学效果良好。
多年来，张秀淼一直从事半导体物理与器件方面的研究工作，研究内容涉及半导体中的杂质与缺陷，半导体的表面与界面，半导体的光生伏特效应等。迄今已发表学术论文70余篇，其中有20余篇发表在国际著名学术刊物上，并被《SCI》和《El》收录。自1982年起先后主持和承担浙江省科委、教委、国家和浙江省自然科学基金、硅材料国家重点实验室基金的研究课题多项，在基础和应用研究方面取得了一系列重要成果，其中主要有：
一、深入研究了Al-SiO2-Si/n系统的高能粒子辐照效应及其退火特性。在此基础上完成了“电子辐照提高功率开关晶体管开关速度工艺技术”等2项课题，并获1985年度浙江省科技进步三等奖。
二、全面研究了等离子体增强化学汽相淀积氮化硅膜的性质与淀积条件的关系，研究结果发表于该领域的权威刊物Thin SolidFilms。
三、对硅的光生伏特效应及其应用进行了多方面的研究：1．研究了硅的表面光生伏特效应。指出硅中少子扩散长度的表面光压法测量结果在大注入下将强烈依赖于表面状况；2．在计及扩散区体内复合的情况下，给出
了扩散结太阳电池扩散区少子连续性方程的
一个形式简单的级数解；3．指出MIS/IL太阳
电池的反型层电阻依赖于电池工作状态，并建立了分析该电阻的一般方法；4．提出了一种新的太阳电池数值分析方法，其特点是在整个太阳电池中同时求解泊松方程和多子、少子连续性方程。
四、对MIS电容器的电容- 时间瞬态及其在产生寿命测量中的应用进行了全方位的深入研究：给出了产生区宽度的一个改进模型；建立了精确描述电容- 时间瞬态的方法；对电场增强的非平衡瞬态进行了描述和说明；提出了多种用电容- 时间瞬态技术测量产生寿命的方法。
张秀淼发表的多篇论文曾先后被评定为浙江省自然科学优秀论文。1994年获得光华科技基金奖三等奖。同年被授予浙江省优 秀教师称号。